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使用Cree SiC模块进行设计的设计注意事项第1部分 - 了解寄生电感的影响
资料介绍
由于碳化硅（SiC）MOSFET在系统电气和体积效率方面有显着改进，可最大限度地降低整体系统成本，因此它们已在模块中实施，这使得SiC技术对高功率应用中的设计工程师更具吸引力。将SiC技术结合到功率模块中结合了硅（Si）MOSFET的快速开关速度和在1.2kV及更高电压下的Si IGBT的低传导损耗。成功利用这些改进的关键，特别是更快的切换速度，需要特别注意系统寄生效应;特别是杂散电感和电容超出了IGBT模块通常会产生的电感和电容。
本应用指南提供了对这些增强寄生效应的直观理解，并解释了如何减轻它们以实现SiC MOSFET模块的最佳性能。寄生电感和电容的影响可包括电压和电流过冲和振铃。这些寄生效应一直存在，并且是所涉及的器件物理学的自然结果。然而，SiC MOSFET的高电压，高电流和增加的开关速度的独特组合需要仔细考虑电路布局以减少这些寄生效应。
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| design_considerations_for_designing_with_cree_sic_modules_part_1.pdf | 5M |
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