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用Cree SiC模块设计的设计考虑因素第2部分 - 最小化寄生电感的技术
资料介绍
Cree SiC MOSFET模块提供高压，高电流和高开关速度的独特组合。这种组合需要仔细考虑电路寄生元件，超出了使用传统Si IGBT模块时的惯常做法。电路寄生效应先前在“最小化SiC MOSFET模块中的寄生效应”中进行了讨论，本应用笔记将提供有关最小化这些寄生元件的指导。链路电容器组中的寄生电感及其与SiC模块的接口是主要关注点。
设计建议从对寄生电感源的理论讨论开始，包括有关互连布局的建议，以及从性能和经济角度选择电容器的建议。介绍了使用这些指南的两种设计，以及测量的寄生电感。这两种设计是用于在Cree的CAS100H12AM1 1.2kV，100A 50mm半桥模块和Cree的CCS050M12CM2 1.2kV，50A六包模块上采集开关数据的电容器板电路。
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| 文件名 | 大小 |
| design_considerations_for_designing_with_cree_sic_modules_part2.pdf | 2M |
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