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Ⅰ类陶瓷电容器COGNPO技术特性

更新时间:2026-04-26 10:47:26 大小:15K 上传用户:烟雨查看TA发布的资源 标签:陶瓷电容器 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、基本定义与分类

Ⅰ类陶瓷电容器是基于温度补偿型陶瓷介质的电容器,其电性能受温度变化影响极小,属于稳定性最高的陶瓷电容品类。其中COG(曾用名NPO)是Ⅰ类陶瓷电容器中最具代表性的型号,名称来源于美国电子工业协会(EIA)的温度系数编码体系:COG对应温度系数为0±30ppm/℃,NPONegative-Positive-Zero)则表示在全温度范围内电容值变化呈现负-正-零的特性。

二、核心技术参数

1. 温度稳定性

• 工作温度范围:-55℃~+125℃
• 电容温度系数(TCC):±30ppm/℃(COG标准)
• 全温区电容变化率:≤±0.3%(-55℃~+125℃)

2. 电气性能指标

• 介质损耗(Df):≤0.1%(1kHz条件下)
• 绝缘电阻(IR):≥10000MΩ(25℃,额定电压下)
• 频率特性:1MHz频率下电容变化率≤0.5%
• 电压系数:≤±0.01%/V

3. 可靠性参数

• 寿命特性:1000小时/125℃/额定电压条件下,电容变化率≤±2%
• 耐焊接热:260℃/10秒条件下性能无劣化
• 振动测试:10-2000Hz,10g加速度条件下机械性能稳定

三、介质材料特性

COG/NPO电容器采用钛酸钙(CaTiO3)基陶瓷材料,通过精确控制稀土氧化物(如La2O3、Nd2O3)掺杂比例,实现近乎线性的温度特性。其介电常数(ε)通常在10-100范围内,虽低于Ⅱ类陶瓷电容,但具有以下独特优势:

1. 极低的介质吸收(DA):≤0.01%,适用于采样保持电路
2. 优异的时间稳定性:年容量变化率≤±0.1%
3. 无压电效应:避免机械应力导致的电参数波动


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