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Bank级电源门控
资料介绍
一、技术概述
Bank级电源门控（Power Gating）是一种针对存储器阵列（如DRAM、SRAM等）的低功耗设计技术，通过对存储器中独立的Bank单元进行电源控制，实现对闲置存储区域的断电管理。该技术基于存储器的Bank化架构，利用电源开关（Power Switch）切断非活动Bank的供电通路，从而显著降低芯片的静态功耗（ leakage power）。在现代SoC设计中，Bank级电源门控已成为平衡存储性能与功耗的关键技术之一，尤其适用于移动设备、物联网终端等对能效要求严苛的应用场景。
二、技术原理
2.1 基本架构
Bank级电源门控的核心架构包括以下组件：
· Bank单元阵列：存储器被划分为多个独立的Bank，每个Bank包含完整的存储阵列、地址解码器及读写控制逻辑；
· 电源开关模块：由MOSFET晶体管（通常为PMOS作为上拉开关或NMOS作为下拉开关）构成，负责控制Bank的电源通断；
· 控制逻辑单元：根据系统访问模式（如访问频率、数据保留需求）生成电源门控使能信号（PG Enable）；
· 唤醒/恢复电路：在Bank重新激活时，提供快速上电及数据恢复机制，确保数据完整性。
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