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TSMC0.18um工艺下bandgap版图设计布局
资料介绍
电阻一般采用叉指匹配，保证需要匹配器件环境尽量一致。
电流镜和差分对一般分别采用轴对称和中心对称匹配，使 MOS 管所在的环境保持一致。
三极管 BJT 采用 3*3 以多包少的匹配方式,使三极管所在环境保持一致。
为了防预多晶硅的过度刻蚀，匹配的 MOS 管、电阻的两端添加 Dummy。
不同类型的 Cell 要添加双圈 guardring 进行隔离噪音，线与线之间的 Via 孔至少需要打两个，减少电阻。
所有的 port 要尽可能放在边界处，以方便与其他 block 的连接。
为了更好的保持环境的一致性，mos 管栅极的方向要保持一致。
为了预防天线效应，采用向上跳线法或者二极管反向导通疏散电荷法。
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