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TSMC0.18um工艺下bandgap版图设计布局

更新时间:2020-06-22 11:28:52 大小:278K 上传用户:就发现还没查看TA发布的资源 标签:tsmc版图设计 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

电阻一般采用叉指匹配,保证需要匹配器件环境尽量一致。

电流镜和差分对一般分别采用轴对称和中心对称匹配,使 MOS 管所在的环境保持一致。

三极管 BJT 采用 3*3 以多包少的匹配方式,使三极管所在环境保持一致。

为了防预多晶硅的过度刻蚀,匹配的 MOS 管、电阻的两端添加 Dummy。

不同类型的 Cell 要添加双圈 guardring 进行隔离噪音,线与线之间的 Via 孔至少需要打两个,减少电阻。

所有的 port 要尽可能放在边界处,以方便与其他 block 的连接。

为了更好的保持环境的一致性,mos 管栅极的方向要保持一致。

为了预防天线效应,采用向上跳线法或者二极管反向导通疏散电荷法。


部分文件列表

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BANDGAP.docx 278K

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