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基于并行总线的单片机外部静态存储器（SRAM）扩展技术（研究）
资料介绍
本项目研究了如何通过单片机的并行总线接口扩展外部SRAM芯片（6264）。内容涵盖了地址线与数据线的复用技术、片选逻辑的设计以及在汇编或C语言中访问外部存储空间的编程方法。
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| 文件名 | 大小 |
| 6264扩展内存.DSN.zip | 42K |
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