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电荷捕获型3D NAND 技术解析

更新时间:2026-07-28 08:30:58 大小:17K 上传用户:江岚查看TA发布的资源 标签:3D NAND 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、技术发展背景

随着大数据、人工智能和移动互联网的快速普及,消费电子、数据中心对存储容量的需求呈现指数级增长,传统平面2D NAND闪存由于物理尺寸微缩已经接近技术瓶颈,在20nm以下工艺节点,浮栅型NAND的电荷泄漏、串扰干扰和可靠性问题愈发严重,摩尔定律在存储芯片领域逐渐难以为继,三维堆叠成为突破容量瓶颈的核心方向,电荷捕获型技术也由此成为3D NAND架构的主流方案。

在电荷捕获型技术商用之前,主流NAND闪存一直采用浮栅结构存储数据,浮栅位于控制栅和沟道之间,通过绝缘氧化层与周围隔离,注入浮栅的电子数量代表不同存储状态,但当单元尺寸不断缩小,浮栅与浮栅之间的距离越来越近,相邻单元的干扰会大幅提升,浮栅绝缘层厚度也无法继续降低,否则会出现严重的电荷泄漏,导致数据保存时间缩短,可靠性大幅下降。而电荷捕获型结构通过绝缘介质中的陷阱位点存储电荷,不需要独立导电浮栅,从结构上解决了单元微缩和堆叠带来的干扰问题,完美适配三维垂直堆叠的设计需求。

二、核心结构与存储原理

2.1 基本单元结构

电荷捕获型3D NAND存储单元的核心结构从沟道向外依次为:硅衬底(或多晶硅沟道)、隧穿氧化层、电荷捕获层、阻挡氧化层和控制栅极,与传统浮栅结构存在本质区别:浮栅是一层多晶硅导电层,而电荷捕获层是绝缘介质,通常采用氮化硅(Si₃N₄)材料,氮化硅中存在大量陷阱位点,能够捕获注入的电子,实现电荷存储。

在三维堆叠架构中,电荷捕获型3D NAND通常采用栅极先围(Gate-All-Around, GAA)设计,控制栅极完全包围圆柱形沟道,能够最大化控制栅对沟道的电场调控能力,降低漏电流,抑制短沟道效应,大幅提升单元的电流开关比,相比平面结构和半包围结构,GAA架构结合电荷捕获设计,能够实现更高的单元密度和更好的稳定性。


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