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3D NAND与BiCS技术.docx
资料介绍
存储芯片的NAND Flash 3D NAND与BiCS技术
一、引言
BiCS（Bit Cost Scalable）是铠侠（原东芝存储）开发的3D NAND闪存技术品牌，从BiCS1的24层堆叠演进到BiCS8的218层，再到BiCS10的332层，BiCS技术一直处于3D NAND堆叠层数的前沿。BiCS技术采用垂直通道架构，在通道孔侧壁沉积多层存储单元，通过堆叠层数的增加实现存储密度的提升。
BiCS10采用332层堆叠与CBA架构，通过横向缩放与Toggle DDR6.0接口实现最高4.8Gb/s的接口速率，位密度较BiCS8提升59%，输入/输出功耗分别降低10%和34%。2026年，BiCS10 TLC已开始送样，标志着3D NAND正式进入332层时代。本文将从技术演进、架构特点、性能表现与产业化进展四个方面，对3D NAND的BiCS技术进行全面分析。
二、技术演进
2.1 堆叠层数
BiCS技术从BiCS1的24层演进到BiCS10的332层，堆叠层数在十余年间增长了超过10倍。
2.2 CBA架构
BiCS10采用CBA架构，将存储阵列晶圆与CMOS电路晶圆分别制造后通过混合键合连接。
三、架构特点
3.1 垂直通道
BiCS技术采用垂直通道架构，在通道孔侧壁沉积多层存储单元，在垂直方向堆叠。
3.2 横向缩放
BiCS10在横向方向上也实现了缩放，通过缩小存储单元的间距提升位密度。
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