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微纳核芯3D-CIM架构三维存算一体芯片设计.docx
资料介绍
微纳核芯3D-CIM架构：三维存算一体芯片设计
1 引言
微纳核芯全球首创的3D-CIM架构，通过晶圆混合键合技术将存储与计算单元三维堆叠，从根源上大幅缩短数据传输距离。3D-CIM架构结合了DRAM三维近存、SRAM存算一体和RISC-V异构存算三大技术路线，在成熟工艺上实现先进性能。本章系统分析3D-CIM架构的技术原理、设计方法和产业化进展。
2 3D-CIM架构
2.1 三维堆叠
3D-CIM通过晶圆混合键合将DRAM存储晶圆与计算晶圆垂直集成，数据传输距离从毫米级缩短至微米级，带宽提升一个数量级。
2.2 SRAM存算一体
在计算晶圆中嵌入SRAM存算一体宏单元，让存储单元与计算单元高度融合，算力密度提升4倍以上。
2.3 RISC-V异构
3D-CIM采用RISC-V异构存算一体架构，自研专属存算指令集和算子库，打通从应用到芯片的完整链路。
3 产品线
3.1 PCIe-CIM系列
面向AI手机、AI PC和云侧智算中心的大模型推理协处理器，已完成核心研发与仿真验证。
3.2 LP-CIM系列
面向端侧AI的近存+存算解决方案，与存储原厂深度协同。
4 产业化进展
微纳核芯连续六年入选ISSCC国际固态电路会议，牵头制定全球首个RISC-V存算一体统一标准。B2轮融资由兆易创新领投，与小米集团、立讯精密等产业资本深度合作。
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