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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新兴非易失存储器的ECC纠错码与可靠性增强.d

更新时间：2026-09-19 18:18:13 大小：37K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：存算一体芯片非易失存储器ECC纠错码车规级可靠性STT-MRAM 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新兴非易失存储器的ECC纠错码与可靠性增强

摘要

新兴非易失存储器（STT-MRAM、RRAM、PCM、FeRAM）在车规级应用中面临各种可靠性挑战——包括STT-MRAM的读取干扰、RRAM的阻值波动、PCM的电阻漂移和FeRAM的极化疲劳。ECC纠错码是提高存储系统可靠性的有效手段，但不同存储技术的错误模式和错误率差异显著，需要针对性的ECC方案。本文针对车载存算一体芯片的可靠性增强需求，系统分析了各新型NVM的错误模式特征，提出了面向车规级应用的自适应ECC方案——包括BCH码、LDPC码和阶梯码的选择策略和纠错能力配置，将存储系统的误码率从10^-8降低至10^-15以下，为车载存算一体芯片的高可靠存储提供了系统级的纠错方案。

一、新型NVM的错误模式分析

1.1 STT-MRAM的错误模式

STT-MRAM的主要错误模式包括读取干扰（读操作导致MTJ误翻转，发生率约10^-9/次）、写入错误（磁矩未成功翻转，发生率约10^-6/次）和热稳定性失效（高温下数据丢失，发生率与温度相关）。


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