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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新型非易失存储器的三维堆叠封装与异构集成技术.d

更新时间：2026-09-19 18:17:42 大小：37K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：存算一体芯片三维堆叠封装车规级非易失存储器TSV混合键合 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新型非易失存储器的三维堆叠封装与异构集成技术

摘要

三维堆叠封装通过TSV和混合键合技术将多层存储芯片垂直堆叠，可以在不增加芯片面积的前提下数倍提升存储密度和带宽。对于车载存算一体芯片，三维堆叠封装可以将不同工艺节点的新型NVM（如STT-MRAM、RRAM、PCM）与逻辑控制芯片集成在一起，实现性能和成本的最优平衡。本文针对车载存算一体芯片的高密度集成需求，系统分析了三维堆叠封装的关键技术——包括TSV工艺、微凸点键合、混合键合和热管理方案，通过优化TSV的深宽比和键合温度，实现了12层MRAM芯片的堆叠，堆叠后的存储带宽提升至单芯片的4倍，为车载存算一体芯片的高密度、高带宽存储提供了封装层面的技术方案。

一、三维堆叠封装的驱动力

1.1 存储带宽需求

车载存算一体芯片需要高带宽的存储支持AI推理和传感器数据融合。三维堆叠通过缩短芯片间互连距离，将存储带宽提升至单芯片方案的4倍以上，同时降低功耗约50%。

1.2 面积效率

三维堆叠可以在不增加芯片投影面积的前提下，将存储容量提升N倍（N为堆叠层数）。对于车载芯片，芯片面积直接关系到成本，三维堆叠是提升存储密度的最有效方式。


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