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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新型非易失存储器的电源管理电路与低功耗设计.do
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新型非易失存储器的电源管理电路与低功耗设计
摘要
车载存算一体芯片的功耗管理是系统设计的核心挑战之一——新型非易失存储器(STT-MRAM、RRAM、PCM、FeRAM)的读写操作需要不同的电压域,且待机功耗、动态功耗和峰值功耗之间存在权衡。本文针对车载存算一体芯片的低功耗需求,设计了一种面向新型NVM的自适应电源管理电路——包括多电压域生成、动态电压频率调整(DVFS)和电源门控方案,通过精细化的电源管理,将芯片的待机功耗降低至1μW以下,动态功耗降低至传统方案的50%以下,为车载存算一体芯片的节能设计提供了电路层面的解决方案。
一、新型NVM的电源需求
1.1 多电压域
STT-MRAM的读操作需要0.8V,写操作需要1.2V;RRAM的读操作需要0.5V,Set操作需要1.5V,Reset操作需要-2.0V;PCM的读操作需要0.5V,Set操作需要0.8V,Reset操作需要2.5V。多种电压需求需要多个电压域和DC-DC转换器。
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| 1789812760面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的车规级新型非易失存储器的电源管理电路与低功耗设计.docx | 37K |
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