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IGBT的抗短路能力
资料介绍
1引言
IGBT 自问世以来在微电子技术和电力电子技术推动下，历经几代改进，以优异的性能，功率摸块领域于在上世纪90年代中期彻底淘汰了BIT，并在T0-247.Т0-220封装领域中向BT挑战与BT相比，IGBT容易驱动、开关速度快、开关损耗小、导通压降优于达林顿BJT，并向单级BJT逼近，1200V期间的最低压降可以达到1.7v，600V的器件则可以达到
1.4V，300V的器件达到了1.3V.抗短路能力是BT和MOSFET所无法比拟的。由于IGBT的短路能力，使电力电子电路可承受各种工业环境条件下的短路状态和异常严酷工作条件下而不致被损坏。
2正偏安全工作区以及短路安全工作取得提出同BT和MOSFET一样，IGBT也有正偏安全工作区（简称FBSOA），FBSOA体现了IGBT正偏状体下的抗功率冲击性能。
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| 1575441630IGBT的抗短路能力.pdf | 877K |
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资料：bitboy
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