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绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计要点

更新时间:2019-06-13 16:35:21 大小:854K 上传用户:z00查看TA发布的资源 标签:绝缘栅双极晶体管igbt 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

作为新型电力半导体器件的主要代表,IGBT 被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。随着半导体材料和加工工艺的不断进步,IGBT 的电流密度、耐压和频率不断得到提升。目前,市场上的 IGBT 器件的耐压高达 6500V,单管芯电流高达 200A,频率达到 300kHz。在高频大功率领域,目前还没有任何一个其它器件可以代替它。本文着重分析讨论 IGBT 器件的设计要点。

一、IGBT 的基本结构和工作原理

从图 1 可以看出,IGBT 是一个复合器件,由一个 MOSFET 和一个 PNP 三极管组成,也可以把它看成是一个 VDMOS 和一个 PN 二极管组成。图 2 是 IGBT 的等效电路。


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