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ROHM功率元件库技术.docx

更新时间：2026-09-15 15:40:44 大小：38K 上传用户：他山之石可攻玉查看TA发布的资源 标签：ROHM SiC MOSFET 栅极驱动器功率元件库 EDA 下载积分：2分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

119 ROHM 功率元件库技术

SiC MOSFET 和栅极驱动器的库参数体系与设计应用

一、概述

ROHM 在 SiC（碳化硅）功率半导体领域拥有业界领先的产品线，其 SCT 系列 SiC MOSFET 和 BM 系列栅极驱动器在电动汽车充电桩、光伏逆变器和工业电源中广泛采用。ROHM 的元件库以 .bxl 格式在官网提供下载，通过 Ultra Librarian 转换后可导入主流 EDA 工具。库中每个 SiC 器件的参数表包含了击穿电压 Vds、导通电阻 Rds(on) 及其温度系数、连续漏极电流 Id、栅极阈值电压 Vgs(th)、输出电容 Coss、内部栅极电阻 Rg(int) 以及热阻 θJC。

二、SCT 系列 SiC MOSFET 元件库

SCT 系列覆盖 650V~1700V 电压等级：

1. SCT3080AL：650V、80mΩ、33A、TO-263 封装的 SiC MOSFET。库参数标注了 Rds(on) 在 25°C 下的典型值 80mΩ 和在 150°C 下的典型值 120mΩ（上升至 1.5 倍），温漂系数优于硅 MOSFET 的 2~2.5 倍。Qg 典型值 51nC（Vgs=18V 时），仅为同规格硅 MOSFET 的 30%~50%，栅极驱动功率较低。Coss 在 Vds=400V 时约 56pF，显著低于硅器件。体二极管反向恢复参数在库中标注了反向恢复电荷 Qrr 极小的特性，允许在半桥拓扑中无需额外并联肖特基二极管。

2. SCT2080KE：1200V、80mΩ、23A、TO-247 封装。库参数标注了 Tjmax=175°C 和工作结温范围 -55°C~175°C，适用于高温环境应用。栅极电压驱动窗口在库中表示为：推荐的 Vgs(on) = 18V，Vgs(off) = -3V~-5V，驱动窗口比硅 MOSFET 的 ±20V 窄。SOA 曲线图以 PDF 链接形式附在库的 Documentation 字段中。

3. SCT3022AL：650V、22mΩ、76A、TO-247 封装。库参数标注了雪崩能量 EAS 数据，在电感负载关断时评估器件的能量吸收能力。

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