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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的技术回顾与行业展望——第1120篇里程碑.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的存算一体芯片的技术回顾与行业展望——第1120篇里程碑
摘要
本文是面向存算一体芯片模拟计算阵列系列技术文章的第1120篇，也是新的里程碑篇章。本文系统回顾了从第1篇到第1120篇所覆盖的技术领域，总结了技术体系的完整演进路径，分析了存算一体芯片从器件材料、电路架构到系统应用的全栈技术生态，并展望了存算一体芯片在光子计算融合、类脑计算、量子计算交叉、碳基芯片和具身智能等前沿方向的发展趋势。存算一体技术已从实验室走向产业化，2026年全球市场规模预计突破165亿美元，成为AI算力基础设施的核心技术路径。
一、技术体系回顾
1.1 器件与材料
从第1篇到第1120篇，器件与材料层面覆盖了RRAM、MRAM、PCM、FeRAM、NOR Flash、SOT-MRAM、碳纳米管等全系列存储介质，以及MgO靶材国产化、HfO₂介质优化、GST相变材料改性等关键材料技术。
1.2 电路与架构
电路与架构层面覆盖了存内计算宏单元、灵敏放大器、ADC/DAC接口、NoC片上网络、NPU微架构、脉动阵列、可重构架构、3D堆叠、Chiplet芯粒互联等全系列电路与架构设计。
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