ON Semiconductor功率半导体元件库技术.docx

更新时间：2026-09-15 15:35:07 大小：38K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：ON Semiconductor 功率半导体元件库 MOSFET IGBT 下载积分：2分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

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108 ON Semiconductor 功率半导体元件库技术

功率 MOSFET、IGBT、SiC 器件与栅极驱动器的参数体系

一、概述

ON Semiconductor（安森美）在功率半导体领域拥有覆盖低压至高压全范围的产品线，包括低压功率 MOSFET、高压 SuperFET、IGBT、SiC MOSFET 以及配套的栅极驱动器。安森美的元件库以 .bxl 和 .lib 格式在官网提供下载，通过 Ultra Librarian 或 SamacSys 转换后可导入 Altium Designer、Cadence OrCAD 和 KiCad。库中每个功率器件的参数表包含了击穿电压 V(BR)DSS、导通电阻 Rds(on)、栅极电荷 Qg、结电容 Ciss/Coss/Crss、开关时间 tr/tf 以及热阻 θJA/θJC。

二、低压功率 MOSFET 元件库

安森美的低压 MOSFET 覆盖 12V~100V 电压范围，以 NTMFS 系列和 NVD 系列为代表：

1. NTMFS4C10N：30V、62A、1.6mΩ（典型值）的 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK4 封装。库参数标注了 Rds(on) 在 25°C 和 150°C 结温下的数值——在 150°C 时 Rds(on) 约上升至 2.5 倍，设计者据此计算最差情况下的导通损耗。Qg 典型值 30nC，用于计算栅极驱动功率。Coss 输出电容影响硬开关拓扑的开关损耗。库中的安全工作区（SOA）曲线图以 PDF 链接形式附在 Documentation 字段中。

2. NVD5117N：适用于汽车电子的 60V、115A、3.2mΩ DPAK 封装 MOSFET。库参数标注了 AEC-Q101 认证等级和 PPAP 文档状态。该器件的雪崩能量 EAS 标注为 150mJ，用于评估在电感负载关断时的能量吸收能力。库热阻参数标注了 θJA（62°C/W@1in² 铜箔）和 θJC（2.5°C/W）。

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