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SOI工艺在射频电路设计中的应用
大小：3M 更新时间：2019-06-06 下载积分：2分
RFSOI工艺所有器件 均被绝缘介质隔离， 减小射频耦合， 同时不存在latch-up SOI工艺具有与GaAs工艺相媲美的性能，同时具有体硅工艺低成本、高集成度、高 可靠性的优势，是目前开关芯片设计和射频电路设计最具吸...
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SiC MOSFET隔离栅极驱动器应用笔记
大小：401K 更新时间：2019-06-06 下载积分：2分
本文介绍了一种隔离栅极驱动器的实现，适用于在各种应用中测试和评估SiC MOSFET。此设计取代了本应用笔记的先前版本，并包含新的增强功能。增强功能如下：•电路板已经扩展，现在可以使用2瓦特和1瓦特的DC-DC转换器...
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用于7L D2PAK的SiC MOSFET高频评估板用户手册
大小：2M 更新时间：2019-06-06 下载积分：2分
该评估板的目的是展示采用7L D2PAK封装的Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高开关性能。新型表面贴装器件（SMD）专为高压MOSFET设计，占位面积小，漏极和源极之间的爬电距离为7mm。...
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SiC MOSFET双脉冲夹具
大小：3M 更新时间：2019-06-06 下载积分：2分
本文介绍了一种适用于表征SiC MOSFET的双脉冲测试夹具。该设置是一本教科书双脉冲测试仪，所有关键部件都放在一块印刷电路板上，以提供可重复的测量。测试夹具的照片如图1所示。测试仪的原理图如图2所示。测试夹具包...
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CCM PFC应用中SiC肖特基二极管的选择指南
大小：596K 更新时间：2019-06-06 下载积分：2分
碳化硅肖特基二极管是CCM PFC升压二极管应用的理想器件，因为它具有出色的反向恢复特性 - 零反向恢复电流。 SiC肖特基升压二极管的选择不同于其对应部分 - 硅超快速软恢复二极管，由于过度的反向恢复能量损耗，它通...
