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SOI工艺在射频电路设计中的应用
资料介绍
RFSOI工艺所有器件 均被绝缘介质隔离， 减小射频耦合， 同时不存在latch-up
SOI工艺具有与GaAs工艺相媲美的性能，同时具有体硅工艺低成本、高集成度、高 可靠性的优势，是目前开关芯片设计和射频电路设计最具吸引力的工艺之一。
SOI开关的ESD能力 可以达到HBM 1000V， 甚至可达到2000V以上， 而GaAs开关的ESD能力 仅为HBM 500V 多个晶体管堆叠解决SOI工 艺击穿电压低的问题，实现 37dBm以上的功率处理能力， 满足现有通信体制对射频开 关的功率能力要求
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