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用于7L D2PAK的SiC MOSFET高频评估板用户手册
资料介绍
该评估板的目的是展示采用7L D2PAK封装的Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高开关性能。新型表面贴装器件（SMD）专为高压MOSFET设计，占位面积小，漏极和源极之间的爬电距离为7mm。
新封装还包括一个独立的驱动源连接，可减少栅极振铃并提供干净的栅极信号。该评估板（图1）配置为基本半桥电路，安装了两个C3M0120090J SiC MOSFET。该电路板可轻松配置为通用电源转换拓扑，如同步升压，同步降压，逆变器和其他拓扑。该板旨在让用户轻松：
使用7L D2PAK封装评估SiC MOSFET开关性能，以表征EON和EOFF损耗。
评估热性能。集成散热器预热后侧有一个盲孔，用于热电偶，因此可以准确估算散热器表面温度。
作为PC板布局示例，用于在新开发的7L D2PAK封装中驱动Gen 3 SiC MOSFET。
轻松评估不同Rg值，米勒钳位，单极与双极栅极驱动，故障检测电路，各种热界面材料和冷却方法的影响。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| sic_mosfet_high_frequency_evaluation_board_for_7l_d2pak.pdf | 2M |
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