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铠侠XL-FLASH存储级内存CXL内存扩展闪存方案.docx
资料介绍
铠侠XL-FLASH存储级内存：CXL内存扩展的闪存方案
摘要
铠侠在FMS 2026上展出了基于XL-FLASH存储级内存的CXL内存扩展模块XL1系列。XL-FLASH采用16平面架构，通过缩短字线与位线寻址尺寸降低读写延迟，使闪存也能进入内存扩展池。XL1系列CXL内存扩展模块面向GPU直连场景，提供比传统SSD更低的延迟和更高的带宽，定位在DRAM与SSD之间的存储层级。本文从XL-FLASH技术原理、性能表现与市场定位等维度，系统分析铠侠在CXL内存扩展领域的布局。
一、XL-FLASH技术原理
XL-FLASH是铠侠开发的存储级内存（SCM）技术，基于3D NAND闪存但进行了专门优化：
· 16平面架构，大幅提升并行度
· 缩短字线和位线寻址尺寸，降低读写延迟
· 优化的读写算法，减少协议开销
· 延迟介于DRAM与NAND之间
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| 文件名 | 大小 |
| 铠侠XL-FLASH存储级内存CXL内存扩展闪存方案.docx | 37K |
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