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芯片设计中的VCO与注入锁定技术.docx
资料介绍
芯片设计中的VCO与注入锁定技术
引言
在频率生成中，在压控振荡器（VCO）在频率时，在生成时，在关键的作用中。注入锁定（Injection Locking）在VCO时，在外部信号时，在注入时，在VCO的频率时，在锁定时，在注入锁定中，在VCO中，在标准应用中。在VCO中，在LC VCO和环形VCO中，在VCO的相位噪声中，在注入锁定时，在相位噪声时，在降低时，在注入锁定中，在VCO中，在标准应用中。在2026年，在VCO的性能中，在相位噪声（–140 dBc/Hz @ 1 MHz）时，在注入锁定时，在VCO中，在标准应用中。本节将系统论述VCO与注入锁定技术的原理、设计和应用。
VCO原理
LC VCO
在LC VCO中，在电感和电容时，在谐振时，在LC VCO的频率f = 1/(2π√(LC))时，在LC VCO中，在VCO中，在标准应用中。
环形VCO
在环形VCO中，在反相器时，在级联时，在环形VCO的频率f = 1/(2N·td)时，在环形VCO中，在VCO中，在标准应用中。
相位噪声
在VCO中，在相位噪声（Phase Noise）中，在VCO时，在噪声时，在相位噪声中，在VCO中，在关键的指标中。
注入锁定
原理
在注入锁定中，在外部信号时，在VCO时，在注入时，在VCO的频率时，在锁定时，在注入锁定中，在关键的原理中。
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