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嵌入式存储未来技术趋势从UFS 4.1到Zoned UFS的演进方向.docx
资料介绍
嵌入式存储未来技术趋势——从UFS 4.1到Zoned UFS的演进方向
摘要
嵌入式存储技术正从UFS 4.1向更高性能、更智能管理的方向演进。Zoned UFS借鉴了ZNS SSD的核心理念，通过主机管理数据布局降低写入放大，延长QLC闪存的寿命。UFS 5.0预计将进一步提升接口速率至HS-G6水平，带宽超10GB/s。MRAM和FeRAM等新型非易失性存储器在嵌入式场景中的应用正在加速。本文从技术趋势、演进方向与产业影响等维度，系统分析嵌入式存储的未来技术方向。
一、UFS 5.0
UFS 5.0预计将采用HS-G6接口速率，带宽超10GB/s，较UFS 4.1翻倍。UFS 5.0将引入更先进的电源管理功能和更低的延迟。
二、Zoned UFS
Zoned UFS借鉴ZNS SSD的核心理念，将存储空间划分为分区，主机管理数据布局，降低SSD内部GC需求，降低写入放大，延长QLC闪存寿命。
三、新型存储技术
MRAM和FeRAM在嵌入式场景中的应用正在加速。MRAM的高耐久性和非易失性适合车载EDR（事件数据记录器）场景。FeRAM的超低功耗适合IoT和可穿戴设备。
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