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存储芯片的3D NAND Xtacking架构与CBA技术.docx
资料介绍
存储芯片的3D NAND Xtacking架构与CBA技术
1 引言
Xtacking是长江存储独创的3D NAND架构，通过混合键合将存储阵列晶圆和外围CMOS电路晶圆分别制造后直接贴合，实现存储单元与外围电路的独立优化。CBA（CMOS Bonded to Array）是铠侠和西部数据采用的类似技术。本章系统分析Xtacking/CBA架构的技术原理、性能优势和在3D NAND中的应用。
2 Xtacking架构原理
2.1 分片制造
在Xtacking架构中，存储阵列晶圆和外围CMOS晶圆分别制造，采用各自最优的工艺节点。存储阵列使用存储专用工艺，外围电路使用先进逻辑工艺（如28nm HKMG）。
2.2 混合键合
两片晶圆通过混合键合直接贴合，铜-铜直接键合实现电气连接，介电层键合提供机械强度。混合键合的互连间距约10μm，I/O密度较传统架构提升10倍以上。
3 性能优势
3.1 工艺解耦
存储阵列和外围电路的解耦使两者可独立优化。外围电路可使用先进工艺实现更高性能，存储阵列可专注于密度提升。
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