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电力电子变换器宽禁带器件的高频辅助电源设计技术.docx

资料介绍

电力电子变换器宽禁带器件的高频辅助电源设计技术

1 引言

辅助电源是电力电子变换器中为控制电路、驱动电路和采样电路供电的关键组件,宽禁带器件的应用对辅助电源提出了更高的要求。SiC MOSFET的驱动需要+15~+20 V-3~-5 V的隔离电源,GaN HEMT的驱动需要+5~+6 V-3~-5 V的隔离电源,且驱动电源的隔离耐压需满足高压侧的要求。驱动电源的功率通常在1~10 W范围内,但需要多路隔离输出,且输出纹波和噪声需满足驱动IC的要求。在宽禁带器件的高频变换器中,辅助电源也需要高频化,减小变压器体积,提高功率密度。本章将系统阐述宽禁带器件的高频辅助电源设计技术,包括拓扑选择、变压器设计、隔离设计和EMI控制,为宽禁带变换器的辅助电源设计提供系统指导。

2 辅助电源拓扑

2.1 反激变换器

反激变换器是辅助电源最常用的拓扑,结构简单,可提供多路隔离输出,在宽禁带变换器中,反激变换器可在100 kHz~1 MHz开关频率下工作。SiC MOSFET在反激变换器中的应用,使用SiC MOSFET作为主开关管,开关频率200~500 kHz,变压器体积小,效率高。GaN HEMT在反激变换器中的应用,使用GaN HEMT作为主开关管,开关频率1~5 MHz,变压器体积可进一步减小,适用于高功率密度辅助电源。

2.2 多路输出设计

驱动电源需要多路隔离输出,每路输出驱动一颗功率器件。多路输出反激变换器的设计要点:各路输出通过独立绕组提供,各绕组的匝数根据输出电压要求确定,在SiC MOSFET驱动中,每路输出提供+18 V-5 V;交叉调整率,在多路输出中,负载变化时各路输出电压的变化应尽可能小,使用耦合电感或后级稳压电路改善交叉调整率。


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