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电力电子变换器SiC MOSFET器件特性与驱动电路设计技术.docx

资料介绍

电力电子变换器SiC MOSFET器件特性与驱动电路设计技术

1 引言

碳化硅(SiCMOSFET是宽禁带功率器件的代表,具有高耐压、低导通电阻、高开关速度和高温工作能力等显著优势,正在电力电子变换器中加速替代传统Si IGBTSi MOSFETSiC MOSFET的禁带宽度是Si3倍,击穿电场强度是Si10倍,热导率是Si3倍,这些物理特性使SiC MOSFET在高压、高频和高温应用中具有天然优势。然而,SiC MOSFET的驱动电路设计需要特别注意其独特的开关特性,包括高dv/dt引起的串扰问题、米勒效应和栅极振荡等。本章将系统阐述SiC MOSFET的器件特性、开关行为、驱动电路设计要点以及关键保护技术,为SiC MOSFET在变换器中的应用提供系统指导。

2 SiC MOSFET器件特性

2.1 静态特性

SiC MOSFET的静态特性包括输出特性和转移特性。输出特性,SiC MOSFET的导通电阻Rds(on)随温度升高而增大,典型温度系数为+3000~+4000 ppm/°C,在高温下导通损耗增大,但SiC MOSFETRds(on)绝对值远低于Si MOSFET,在高压下优势明显。转移特性,SiC MOSFET的阈值电压Vth2~4 V范围内,随温度升高略有下降,在高温下更容易导通,在驱动电路设计时需考虑负压关断,防止高温下误开通。

2.2 动态特性

SiC MOSFET的动态特性由寄生电容决定,包括栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs和漏源电容CdsCgd(米勒电容)在开关过程中产生米勒效应,在开通时,Cgd的充放电导致栅极电压出现米勒平台,在关断时,Cgd的充放电影响关断速度。Cgd的电压依赖性很强,在低压时远大于高压时,在设计驱动电路时需考虑Cgd的非线性特性。


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