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功率器件GaN HEMT栅极驱动与死区时间优化技术设计.docx
资料介绍
功率器件GaN HEMT栅极驱动与死区时间优化技术设计
概述
GaN HEMT的栅极驱动与死区时间优化是高频变换器设计的关键技术，GaN HEMT的栅极电压范围窄、开关速度快，需要特殊的驱动电路设计。在基于STM32G474的逆变器系统中，GaN HEMT驱动技术可用于高频高效变换器的设计。本章系统阐述GaN HEMT栅极驱动的特殊要求、死区时间优化方法及驱动电路设计技术。
GaN HEMT驱动要求
栅极电压范围
增强型GaN HEMT的栅极电压范围通常为-2V至+7V，阈值电压约为1V至2V。栅极电压超出范围会损坏器件，驱动电路需要精确控制栅极电压。
负压关断
GaN HEMT的阈值电压较低，在高温下可能降低，容易误导通。负压关断可以防止误导通，但负压幅值不能超过-2V，否则会损坏器件。
驱动电路设计
驱动芯片选型
GaN HEMT的驱动芯片需要具有精确的栅极电压控制、高CMTI和低传播延迟。驱动芯片的输出电压需要精确匹配GaN HEMT的栅极电压范围。
驱动回路
GaN HEMT的驱动回路需要尽量紧凑，减小驱动回路的寄生电感。驱动回路采用开尔文连接，消除共源电感的影响。
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| STM32G474逆变器_技术文件_1555_功率器件GaN_HEMT栅极驱动与死区时间优化技术设计.docx | 37K |
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