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功率器件SiC MOSFET体二极管退化与双极退化技术设计.docx
资料介绍
功率器件SiC MOSFET体二极管退化与双极退化技术设计
概述
SiC MOSFET的体二极管在续流过程中会发生双极退化现象，导致体二极管正向压降增大和导通电阻增大，影响器件的可靠性。在基于STM32G474的逆变器系统中，体二极管退化技术可用于逆变器续流回路的设计优化。本章系统阐述SiC MOSFET体二极管双极退化的机理、影响因素及抑制技术。
体二极管特性
结构特点
SiC MOSFET的体二极管是寄生在源极和漏极之间的PN结二极管。SiC MOSFET的体二极管在正向导通时，电子和空穴同时参与导电，形成双极导电模式。双极导电模式在SiC材料中会引发堆垛层错扩展，导致体二极管退化。
性能参数
SiC MOSFET体二极管的正向压降约为2.5V至3.5V，高于Si MOSFET的体二极管。SiC MOSFET体二极管的反向恢复电荷为零，具有优异的开关特性。
双极退化机理
堆垛层错
SiC MOSFET体二极管在双极导电模式下，电子和空穴复合释放能量，在SiC材料中产生堆垛层错。堆垛层错扩展降低少数载流子寿命，增加体二极管的正向压降。
退化过程
体二极管退化是一个渐进过程，随着双极导电时间的增加，堆垛层错逐渐扩展，体二极管正向压降逐渐增大。退化过程在高温下加速，在低温下减缓。
部分文件列表
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| STM32G474逆变器_技术文件_1552_功率器件SiC_MOSFET体二极管退化与双极退化技术设计.docx | 37K |
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