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功率器件SiC MOSFET阈值电压稳定性与漂移补偿技术设计.docx
资料介绍
功率器件SiC MOSFET阈值电压稳定性与漂移补偿技术设计
概述
SiC MOSFET的阈值电压稳定性是影响器件可靠性和电路性能的关键问题，阈值电压漂移可能导致器件导通电阻变化、开关特性改变和系统性能下降。在基于STM32G474的逆变器系统中，阈值电压稳定性技术可用于逆变器驱动电路的长期可靠性设计。本章系统阐述SiC MOSFET阈值电压漂移的机理、影响因素及补偿技术。
阈值电压漂移机理
栅极氧化层陷阱
SiC MOSFET栅极氧化层中的陷阱在栅极电压应力下捕获或释放电荷，导致阈值电压漂移。正栅极电压应力下，电子注入氧化层，陷阱捕获电子，阈值电压正向漂移。负栅极电压应力下，空穴注入氧化层，陷阱释放电子，阈值电压负向漂移。
可动离子
SiC MOSFET栅极氧化层中的可动离子在温度和电压应力下移动，导致阈值电压漂移。可动离子在正栅极电压下向SiC界面移动，导致阈值电压负向漂移。
影响因素
栅极电压
栅极电压的幅值和极性影响阈值电压漂移的幅度和方向。正栅极电压导致正向漂移，负栅极电压导致负向漂移。栅极电压幅值越大，漂移幅度越大。
温度
温度影响载流子的迁移率和陷阱的捕获/释放速率。温度升高，漂移速率加快，恢复速率也加快。
漂移补偿技术
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| STM32G474逆变器_技术文件_1550_功率器件SiC_MOSFET阈值电压稳定性与漂移补偿技术设计.docx | 37K |
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