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功率器件体二极管与反并联二极管特性技术设计.docx
资料介绍
功率器件体二极管与反并联二极管特性技术设计
概述
功率器件的体二极管和反并联二极管在逆变器电路中承担续流和反向电流导通的重要功能,其特性直接影响逆变器的效率和可靠性。在基于STM32G474的逆变器系统中,二极管特性分析可用于逆变器续流回路的设计优化。本章系统阐述功率器件体二极管和反并联二极管的工作原理、特性参数及选型方法。
体二极管特性
MOSFET体二极管
MOSFET的体二极管是寄生在源极和漏极之间的PN结二极管。体二极管的正向压降较大,约为0.7V至1.5V,反向恢复时间较长,约为100ns至500ns。体二极管的反向恢复电荷较大,在高速开关时产生较大的开关损耗和电磁干扰。
IGBT体二极管
IGBT内部没有体二极管,需要外接反并联二极管实现续流功能。IGBT模块内部集成了反并联二极管,采用与IGBT芯片相同的工艺制造,匹配性好。
反并联二极管
快恢复二极管
快恢复二极管具有较短的反向恢复时间和较小的反向恢复电荷,适用于高频应用。快恢复二极管的反向恢复时间在50ns至200ns之间,正向压降在1.5V至2.5V之间。
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| STM32G474逆变器_技术文件_1542_功率器件体二极管与反并联二极管特性技术设计.docx | 37K |
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