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存储芯片的存储编译器技术从SRAM到DRAM的自动化生成.docx
资料介绍
存储芯片的存储编译器技术：从SRAM到DRAM的自动化生成
1 引言
存储编译器是存储芯片设计中的核心EDA工具，根据用户规格自动生成存储模块的完整版图、电路网表和时序模型。在DRAM、SRAM和NAND闪存中，存储编译器的效率和质量直接影响设计周期和芯片性能。本章系统分析存储编译器的架构原理、生成流程和关键技术。
2 编译器架构
2.1 参数化规格
存储编译器接收用户输入的规格参数，包括：
1. 容量：总存储容量（如1Mb、16Mb、1Gb）
2. 位宽：数据位宽（如×8、×16、×64）
3. 端口数：单端口、双端口或多端口
4. 工艺节点：28nm、14nm、7nm等
5. 时序要求：访问速度、建立时间、保持时间
2.2 生成流程
存储编译器的生成流程包括：
1. 阵列分割：将存储阵列分割为子阵列，确定行列数
2. 单元库调用：从单元库中选择存储单元版图
3. 外围电路生成：自动生成行解码器、列选通、感测放大器
4. 版图拼接：将子阵列和外围电路拼接为完整版图
5. 时序提取：提取寄生参数，生成时序模型
3 关键设计权衡
3.1 子阵列大小
子阵列的大小影响访问速度、功耗和面积。大子阵列减少解码器数量但增加位线RC延迟，小子阵列降低延迟但增加解码器面积开销。
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