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SJ_T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法
资料介绍
SJ_T 11766-2020 光电耦合器件低频噪声参数测试方法
电子元器件低频噪声参数测试方法的系列标准包括：《电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求》
和具体电子元器件的低频噪声参数测试方法，后者包括但不限于：《晶体管低频噪声参数测试方法》、
《二极管低频噪声参数测试方法》、《光电耦合器件低频噪声参数测试方法》、《电阻器低频噪声参数测试方法》等。
本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担这些专利的责任。
本标准由基于低频噪声技术的电子元器有可可性死树检测标准工作组归口。
范围
本标准规定了光电耦合器件（以下简称光耦）1Hz~300kHz频率范围内噪声参数测试方法及要求2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
SI/T 2215 半导体光电耦合器测试方法
SJ/T 11769 电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求3 术语和定义
SJ/T 11769 和 SJ/T 2215 界定的术语和定义适用于本文件。
4测试条件及要求
除SJ/T 11769的通用要求外，光耦的低频噪声测试条件还应符合下列要求：a）光耦的低频噪声参数包括噪声电压功率谱密度和噪声电压。
b）光耦的低频噪声测试的偏置电流、偏置电压、偏置电路等测试条件按照产品详细规范确定。除另有规定外，光耦参数电流传输比的测试条件作为低频噪声参数测试的测试条件。
5 测试系统的构成及要求
5.1通则
光耦低频噪声参数测试系统的构成及要求应符合 SJT 11769 的规定。
5.2 测试偏置电路
光耦器件低频噪声测试偏置电路原理如图 1 所示，低噪声电源为光耦的输入端提供偏置电流，为光耦的输出端提供偏置电压，光耦输出端的噪声电压接入到低噪声前置放大器，低噪声前置放大器的+/
一表示信号的同向输入端/反向输入端。R为负载电阻，R为限流电阻。测试程序
6.1 测试准
IND按照 SJT69的要求进行测试系统的检查、本底噪声的测量、测试样品的安装等测试准备工作
6.2 噪声电压功半诸密度
按照下列步 进行噪声电压动来进家式：
a）将被测光强接入偏置电路，按4要求调节低噪声电源，使被测光耦工作在规定的输入电流和输出电状态：
b调节低噪 放大器的带宽和增益，使放大器的输出信号在数据采集分所设备的量程内：c）设置数据采集分析设备的采样率、频谱分辨率和测量平均次数。除另有既定外，测量平均次数不少于 16次
6.3噪声电压
d）
进行噪声电压功率进密度测试，得到被测光耦的噪声电压功率谱典型噪声电压功率谱密
度图谱参见附录TANDARD按照下列步骤，进行噪声电压时间序列测试？
a）将被测光耦接入偏置电路，按4b）要求调节低噪声电源，使被测光耦工作在规定的输入电流和输出电压状态；b）
调节低噪声前置放大器的带宽和增益，使放大器的输出信号在数据采集分析设备的量程内；设置噪声电压时间序列的采集时间，除另有规定外，单次采集时间不少于 32 s c）
d进行噪声电压时间序列测试，得到噪声电压有效值和噪声电压峰-峰值。典型噪声电压时间序列参见附录 A.
6.4数据的记录
测试数据的记录符合下列要求：
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| SJ_T_11766-2020_光电耦合器件低频噪声参数测试方法.pdf | 3M |
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