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SJ_T 10553-2021 电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法

更新时间:2023-12-27 12:48:23 大小:564K 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 标签:光谱分析 下载积分:9分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ_T 10553-2021 电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法 本标准按照GB/T1.1-2009制定的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准代替SJ/T10553-1994《电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法》,本标准与SJ/T 10553-1994相比,主要有如下变动: 一一按GB/T1.1-2009规定的格式进行了修改。 删除了“米吐尔一一海德路显影液和定影液”中的“米吐尔一一海德路”。(见3.10,SJ/T 10553-1994的3.j) 一一将光谱干板由国产I型改为国产Ⅱ型,型号为9×24规格。(见3.9,SJ/T10553-1994的3.1) “交流电弧发生器”修改为“直流电弧发生器”。(见4.2,SJ/T10553-1994的4b) 一一仪器设备中增加了马弗炉、烘箱。(见4.9,4.10)一一分析步骤中增加了预曝光时间。(见6.2)本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SC/TC203)提出并归口。 本标准规定了电子陶瓷用二氧化结中杂质的发射光游分析方法。 本标准适用于电子陶瓷用二氧化结中铁,硅,磷,钙,镁和钛的氧化物杂质测定的中型摄谱议方法 ?方法提要 一氧化错与石墨粉泥合物(内含1%三氧化二结)泥匀,石墨粉起缓冲剂和稀释剂的作用,使激发稳定,用结和结做内标,将被测样品和标准样品的光谐摄在司一张光谱干板上,利用内标法进行杂质含量的测定。 3试剂或材料 3.1三氧化二铁,分析纯3.2二氧化硅,分析纯. 33焦顾酸镁,分析纯 3.4碳酸钙,分析纯。 35二氧化钛,分析纯 3.6二氧化情,光谱纯。 3.7三氧化二结,分析纯 3.8石是粉,光潜纯 3.9光谱干板,国产川型,规格为9×24. 3.10影液和定影液(按光谱感光板使用说明书配方配制). 3.11右录电极。光佛纯,直径为6mm,误差为+02mm以内。 4仪器或设备 41中型摄谱仪 4.2直流电弧发生器 4.3测微光度计. 4.4映谱仪. 4.5分析天平,精度为0.0001g- 4.6车制石墨电极的小车床。 4.7玛瑙研体 4B秒表. 49马弗炉。 4.10棋箱 与试样 5.1标样配制 将二氧化钻和各待测氧化物于900℃約烧2h,焦砖酸镁灼烧4h,碳酸钙于150℃烘干2h。按计算量,在二氧化结中加入各杂质氧化物和盐类,配成主标样,再用二氧化皓逐个稀释,制得一套标样,其含量见表1。再与等量石墨粉〔内含1%三氧化二钴)混匀。 5.2样品处理 试样多为团块状,应小心研细,直至和标样粒度相叙(能通过200日标准筛孔),与等量石墨粉(内含%1三氧化二钴)混匀, 6分析步腰 6.1将经处理的样品装入电极小孔,装紧填平,在200℃左右烘烤2h,立即摄谱,电极形状如图1所示, 6.2采用三透镜照明系统摄谱,使用三阶梯减光器透光率100%和50%两阶,直流电孤阳极激发,电流强度10A,狭缝宽度15um,电极间隙为2mm,误差为+0,2mm以内,遮光板3,2mm,摄语范国为250mm-320nm,预曝光2s-3s后曝光30s,每个样品摄谐三次,将Ⅱ型感光板在显影液中显影3min,温度为18℃-20℃,然后定形、水洗,干燥。 7结果计算 在测微光度计上,测量分析线对的黑度,绘制△S(PO5用△P)一1gC工作曲线,由工作曲线查出试样中杂质的含量。△$为分析线黑度与内标线黑度之差,gC为标准样品中分析元素含量的对数。 分析线与定含量范用见表2。

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