SJ_T 10551-2021 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法

更新时间：2024-01-11 06:29:29 大小：567K 上传用户：sun2152 查看TA发布的资源 标签：光谱分析 下载积分：8分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

SJ_T 10551-2021 电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法本标准按照GB/T1.1-2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准代替 SJ/T 10551-1994《电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法》，本标准与 SJ/T 10551-1994 相比，主要有如下变动： ——按GB/T 1.1-2009规定的格式进行了修改。 --将方法提要中的“利用内标法进行杂质含量的测定”修改为“利用标准曲线法进行杂质含量的测定”。（见2，SJ/T 10551-1994的2） ——删除了“米吐尔——海德路显影液和定影液”中的“米吐尔——海德路”。（见3.9，SJ/T 10551-1994的3.i） ——仪器设备中增加了烘箱。（见4.11） ——分析步骤中增加了预曝光时间。（见6.2）本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会（SAC/TC203）提出并归口。 1 范围本标准规定了电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法本标准适用于电子陶瓷用三氧化二铝中二氧化硅、三氧化二铁、氧化镁、氧化钙杂质的测定。 2 方法提要将三氧化二铝粉末样品经 1000℃~1200℃煅烧，使其转化为a型三氧化二铝，试样与碳粉混合物（C： Cu0-3：0.1）混合（试样：碳粉混合物-1：3），以铜为内标，将被测样品和标准样品的光谱摄在同一张光谱干板上，利用标准曲线法进行杂质含量的测定。 3 试剂或材料 3.1 三氧化二铝，光谱型。 3.2 三氧化二铁，分析纯。 3.3 氧化铜，分析纯。 3.4 氧化镁，分析纯。 3.5 氧化钙，分析纯。 3.6 二氢化硅，光谱纯。 3.7 碳粉，光谱纯. 3.8 光谱干板，国产ⅡI型。 3.9 显影液和定影液（按光谱感光板使用说明书配方配制）。 3.10 石墨电极，光谱纯，直径为6mm.误差为+0.2mm以内。 4仪器或设备 4.1 中型摄谱仪。 4.2 直流电弧发生器。 4.3 测微光度计。 4.4映谱仪. 4.5分析天平，精度为0.0001g. 4.6高温炉，最高加热温度不低于1000℃. 4.7 高铝瓷坩埚或铂坩埚。 4.8 聚四氟乙烯研钵或有机玻璃研钵。 4.9 秒表。 4.10 车制石墨电极的小车床。 4.11 烘箱。 5试样 5.2 样品处理将样品置于高铝瓷坩埚或铂坩埚中，于 1000℃~1200℃高温炉中煅烧 2h，取出冷却至室温，30min之内使用。 6 分析步骤 6.1将标样和试样分别与碳粉混合物以1：3混合，将混合物置于聚四氟乙烯或有机玻璃研钵中研磨均匀（标样研磨 1h 以上，样品研磨 30min），以填塞法装入下电极至填满压平磨光为止. 6.2采用三透镜照明系统摄谱，直流电弧阳极激发，电压220V，电流强度8A，狭缝宽度10um，遮光板3.2mm，预曝光2s~3s后曝光35s，每个样品摄谱三次，将11型感光板在显影液中显影2 min-4min，温度为 18℃-20℃，然后定影、水洗、干燥。石墨电极如图 1 所示。 8 精密度根据 11 块感光板测定数据的计算结果，相对标准偏差在 15%以内。 9 测试报告测试报告应包括下述内容： a）试验标准号；b）试验材料的牌号、规格、试样编号： c）试验结果： d）仪器型号；f）试验单位： g）试验人员；h）试验日期。