SJ 50033_186-2018 半导体分立器件 3DK2222 3DK2222UA 3DK222

范围 本规范规定了3DK2222、3DK2222UA、3DK2222UB型硅NPN高频小功率开关品体管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和使用。 规范性引用文件 YAND INFORM下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款，凡是的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓刚居 规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，囊取新版在适用于不规范。 GB/T 4581994半导体分立器件和集成电路 第7部分：双权品体行 GB/T 7581-1987泮导体分立器件外形尺寸 GB 1230-1990功率晶体管安全工作区测试方法 GJB 33A-1997半导体分立器件总规范 GJB 128A-1997半导体分立器件试验方法 GJB 548微电子器件试验方法和程序 SIN3.1范为准。 3.2 设计、结构和外形尺寸 符合 3要求总则 3.2.1 引出端镀涂层 3.2.2 器件结构 引出端镀涂层应按GJB 33A-1997中3.8.1的规定 器件采用硅外延平面结构。 3.2.3 外形尺寸 3DK2222外形尺寸应符合GB/T 7581-1987中的A3-01B型，见图1的规定；3DK2222 UA采用UA型金属陶瓷封装，外形尺寸见图2：3CK2222UB采用UB型金属陶瓷封装，外形尺寸见图3. 4.4 质量一致性检验 4.4.1 通则 质量一致性检验应按GJB 33A-1997及本规范表4至表7的规定。 4.4.2 A 组检验 A组检验应按GJB 33A-1997的表3和本规范表4的规定进行。 4.4.3 B 组检验 JY级器件B组检验应按GJB 33A-1997的表4a和本规范表5的规定进行.JP、JT、JCT级器件B组检验应J按GJB 33A-1997的表4b和本规范表6的规定进行。 4.4.4 C 组检验 C组检验应按GJB 33A-1997的表5和本规范表7的规定进行。 4.4.5 D 组检验 有辐射强度保证的JCT级器件应按GJB 33A-1997和本规范表8的规定进行D组检验。 4.5 检验和试验方法4.5.1 脉冲测试 脉冲测试应按GJB 128A-1997的4.3.2.2的规定 4.6 宇航级器件定级试验材料要求 鉴定检验时，宇航级器件应提交以下材料：a）器件在最高工作温度和最低工作温度的全参数测试数据。 b）器件最大额定值的验证数据或证明资料。 e）器件进行稳态工作寿命摸底试验的数据。摸底试验时间：4000 h或至少一半的器件出现失效，取小者。 4.7 工艺过程控制补充要求 除GJB 33A-1997中规定的工艺过程控制外，承制方应按附录B的规定对参数一致性进行监控。 A.1目的 本试验的目的是确认老炼和寿命试验环境下双极型品体管的稳态工作寿命试验条件能否使结温（T）是否达到了规定的数值。 A.2设备AN要求测试设备能在中的谋箱、温槽内或热板上，在所要求的7下测量被试器件样本的混度敏感参数（TSP） A.3程序 采用一规定的小剩量电流。该电流用于TSP测量，而不会产生有效的自热-TS取的占空比应不大于加热时间（的%，应尽量采用与试验环境条件下所使用功率的模式相同的功加热电流（）。 进行测量. A.3.1.2 确定要求的转温 规定。除另有规定外，简结温应为被试器件的额定最高结混。 A.3.1.3 达到规定的结 至少抽取5只器件 A.3.1.4 记录TSP应在独立的温度受控的温箱，温槽中或热板上将结混控制到规定值，除差基土2K（或按要求）。在被试器件放入并达到平衡后，应采用小的稳定测量电流（h）记录一系列的TSP，这些TSP应为晶体管的基极一发射极电压（VnE），IM的大小应大至足以保证P的测量，但不得大至足以产生有效的自热。 A.3.2 寿命试验时器件的安装 被试器件的样本应用插座安装在试验环境中，插座应分别处于试验环境最冷与最热的关键区域以核实了，样本中也应包括为重现相同的累积热效应而安装于功率试验环境中的所有其他器件。被试器件所使用的插座，其结构还应与试验环境中使用的所有其他插座的结构相同。被试器件应与TSP测量设备进行电气连接，该测量设备需要一组开尔文检测线用以监测结电压，这些检测线的连接应使散热效应减至最小。 A.3.3 确定寿命试验的条件 A.3.3.1 环境温度 环境温度（TA）应是热平衡条件下的规定温度，包括适用时温箱中的任何热对流或空气循环效应。 当采用热板时，还应规定其表面温度和一致性。 A.3.3.2 施加电流和功率 对所有器件施加相同的加热电流或等效的有效值功率。稍微增大加热电流，采用心对每一只被试器件同时监测一次 TSP注：随着了的增大，TSP测试值（K）会减小。 A.3.3.3 规定結湿下的TSP A.3.3.3.1 概述 重复A.3.3.2，直至对试验环境中的所有器件施加相同等效的电流或有效值功率后，测出的TSP与A.3.3.2中TSP的测试值相同。应记录够只被试器件达到此所要求的刀值所施加的功率，并且计算所有被试器件的平均功率，并作为A.3.4.4的老炼或寿命试验中对每只器件所施加的功率数值。 A.3.3.3.2 电流和功率额定值 如果施加的加热电流或加热功率（PH）超过器件的额定值才能使老炼时器件结混达到所要求的T，则应作下列选择： a）可以增加加热电流或加热功率，但不得超过器件的电流密度容量： b）减少试验环境中的散热器；c）当相应的详细规范中允许时，可以升高7，直至达到所要求的7）. A.3.3.3.3 宇航级器件的Tj当字航级（4）器件进行强加度稳态工作寿命试验时，T可高于其手册中规定的最高允许结温（对硅器件或错器件，即高于150 ℃~200 ℃）。T值可以规定为225 ℃~275 ℃.但选择的试验条件不得使器件结温超过半导体材料的本征半导体温度。该混度可依据本征区或二次击穿区（热产生的电子空穴对涌出接近或超过了Px结的本底掺杂水平）进行确定，该温度也可通过反向漏电流的明显增大来确定，或更严重的情况如整流管的反向击穿电压（Vng）来观划到。 A.3.3.4 Tj达到规定值后 器件应按A.3.3.3.1确定的平均功率进行老炼或寿命试验。