积分商城

最新搜索： all03 sky1311 dac8552 ADS1256 ORCAD keil keygen
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > SJ1829-1981 3DK5型NPN硅外延平面小功率开关三极管
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

SJ1829-1981 3DK5型NPN硅外延平面小功率开关三极管

更新时间：2024-06-20 22:00:40 大小：166K 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：人机界面 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

SJ1829-1981 3DK5型NPN硅外延平面小功率开关三极管

本标准适用于3DK 5型 NPN硅外延平面小功率开关三极管。该产品在电子设备中主要作饱和 及非饱和开关用。

1.该产品除按本标准规定外，二类应符合 SJ 614-73《半导体三极管总技术条件》的规 定，三类应符合SJ 281-76 的规定。

2.外形结构和尺寸应符合附图的规定。

3.技术要求和试验方法

（1）电参数应符合参数规范表的规定，电参数的测试方法应符合SJ 300~314-72《半导体三极管测试方法》的规定。

（2）hrE 分档标志：

允许测试误差为±10%。

（3）环境试验后，按顺序测量下列电参数，a，b，d 三项参数应符合参数规范表的规 定，hpg 的相对变化不得超过士20%。

a.反向电流；b.饱和压降；c.电流放大系数；d.反向击穿电压。

（4）高温贮存和额定功率试验条件：a.高温贮存试验条件：按T，-为125℃下进行

b.额定功率试验条件：功率为Pex值。电压Vca 为 10 V.

（5）高温贮存和额定功率试验后，按下列标准考核：a.Icno不得大于规范值的两倍；b，hra的相对变化不得超过±25%；c.VBE（s..）的相对变化不得超过+20%；d.Vez（s..）的相对变化不得超过+0.1V，e.V（BR）cro的相对变化不得超过-20%。

（6）引出线抗拉强度试验和弯曲试验应符合SJ 1828-78《电子元器件引出端强度试验方法》的规定。

4.说明

（1）本标准参数表中的电参数均以25℃为准。

（2）生产单位应在产品目录中提供下列典型特性曲线：

a.Ig——Vaz 的关系曲线；b.Ic—Vca 的关系曲线：

c.VisR cso，V（BR）EEO-T，的关系曲线；d.hps——T.的关系曲线；e.hpz--Ic 的关系曲线；f.fr-Ic的关系曲线：

g.Iero，Ieso-T.的关系曲线；h.t，——In的关系曲线；i.t，-Ia1的关系曲线；j.t，Ic 的关系曲线；k.t，—Ic 的关系曲线；

1.to-Ig的关系曲线；m.to-Ic的关系曲线。



部分文件列表

文件名 大小
SJ1829-1981_3DK5型NPN硅外延平面小功率开关三极管.pdf 166K

【关注视频号领20积分】   【关注公众号立即送20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号