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存储芯片的时序分析与Signoff签核技术.docx
资料介绍
存储芯片的时序分析与Signoff签核技术
1 引言
时序分析是存储芯片设计签核（Signoff）的核心环节，确保芯片在目标频率下能够正确运行。在DRAM和NAND闪存中，时序分析需要覆盖存储阵列的位线放电时间、感测放大器的建立时间、字线驱动的RC延迟和I/O接口的时序裕量。本章系统分析存储芯片的时序分析方法、关键技术指标和签核流程。
2 时序路径
2.1 存储阵列时序
存储阵列的时序路径包括：
1. 字线选通：行解码器输出到字线的时间
2. 位线放电：存储单元放电到位线的时间
3. 感测放大器：位线电压差放大到全摆幅的时间
4. 数据输出：感测放大器输出到数据总线的时间
2.2 I/O接口时序
I/O接口的时序包括：
1. 输出时序：时钟到数据输出（Tco）的时间
2. 输入时序：数据输入到时钟的建立/保持时间
3. 时序裕量：数据有效窗口的裕量
3 时序模型
3.1 Liberty模型
存储芯片的时序模型使用Liberty格式（.lib），包含延迟、功耗和时序约束等信息。存储编译器自动生成Liberty模型。
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