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面向存储芯片的先进封装中模塑互连技术从引线框架到RDL的封装工艺演进.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中模塑互连技术从引线框架到RDL的封装工艺演进
——从传统引线键合到扇出型晶圆级封装的工艺变革
引言
模塑互连技术是存储芯片封装中的重要工艺创新。从传统的引线框架到扇出型晶圆级封装（FOWLP），再到面板级封装（PLP），模塑互连技术通过将芯片嵌入塑封料中，在塑封料表面制作再分布层（RDL），实现芯片的互连。模塑互连技术消除了引线键合和基板的限制，提高了互连密度和封装效率。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中模塑互连技术，从引线框架到RDL的封装工艺演进路径。
传统引线框架封装
引线框架封装工艺
传统引线框架封装的工艺流程：
1. 芯片贴装：将芯片贴装在引线框架的基岛上，采用银浆或焊料固定。
2. 引线键合：通过金线或铜线将芯片的焊盘连接到引线框架的引脚，线径约20μm至50μm。
3. 塑封：在芯片和引线框架周围填充塑封料，保护芯片和引线。
4. 切割：将引线框架切割为单个封装体，完成封装。
引线框架封装的局限
引线框架封装的局限性：
1. 互连密度低：引线键合的间距约100μm至200μm，互连密度低，无法满足高密度互连的需求。
2. 封装尺寸大：引线框架的尺寸大，封装尺寸大，无法满足小型化需求。
3. 电性能差：引线键合的线长较长，寄生电感和电阻大，电性能差。
扇出型晶圆级封装
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