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先进封装RDL技术.docx
资料介绍
存储芯片的先进封装RDL技术
一、引言
RDL（再分布层）是先进封装中实现芯片之间高密度互连的关键工艺，通过在芯片或中介层表面沉积金属布线层，将芯片的焊盘重新分布到封装焊球的位置，实现芯片与基板之间的电气连接。在HBM、Chiplet与玻璃基板封装中，RDL的线宽与间距已从传统的10μm缩小至2μm以下。
RDL的制造工艺包括介质层沉积、光刻、金属电镀与刻蚀。RDL的材料通常采用铜，具有低电阻与良好的电迁移抗性。RDL的层数根据封装的复杂度决定，通常为1至4层。在玻璃基板封装中，RDL与TGV技术结合，实现高密度的垂直互连与水平布线。2026年，RDL技术正在向更细线宽、更高层数与更低成本的方向演进，支撑先进封装的持续发展。本文将从工艺原理、材料选择、设计挑战与未来趋势四个方面，对先进封装的RDL技术进行全面分析。
二、工艺原理
2.1 介质层沉积
RDL的介质层采用聚酰亚胺或BCB，通过旋涂或喷涂工艺沉积，提供绝缘与平坦化。
2.2 金属布线
RDL的金属布线采用电镀铜工艺，通过光刻胶图形化定义布线图案，电镀铜填充，去除光刻胶后刻蚀种子层。
三、材料选择
3.1 铜布线
铜具有低电阻率与良好的电迁移抗性，是RDL布线的首选材料。
3.2 介质材料
聚酰亚胺与BCB是RDL介质层的主要材料，具有低介电常数、良好的热稳定性与工艺兼容性。
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