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二极管型OTP ROM ROM

更新时间:2026-06-14 11:29:59 大小:16K 上传用户:潇潇江南查看TA发布的资源 标签:二极管otprom 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

一、基本定义

二极管型OTP ROMOne-Time Programmable Read-Only Memory,一次性可编程只读存储器)是基于二极管物理特性实现单次编程的非易失性存储器,通过熔断二极管对应的连接铝线或者改变二极管PN结击穿特性,实现数据的永久写入,写入后数据无法修改,具备成本低、可靠性高的特点,主要应用于需要固定程序或参数存储的中小容量存储场景。

二、工作原理

二极管型OTP ROM的核心存储单元结构为二极管+可选熔丝的基本结构,其工作分为两个阶段:

1. 出厂未编程状态

常规的二极管型OTP存储阵列中,每个存储位位置都集成一个二极管,二极管的阴极或者阳极通过金属熔丝连接到位线,初始状态下所有熔丝都保持连通,此时对存储单元进行读取操作时,二极管可以正常导通,对应输出固定的逻辑电平(通常为逻辑“1”)。也有部分结构采用反向击穿初始未导通设计,初始状态二极管反偏不导通,对应逻辑“0”

2. 编程操作

编程时根据需要写入的数据,对目标存储单元施加高于正常工作电压的编程脉冲:若采用熔丝结构,大电流会使对应位置的金属熔丝发热熔断,切断二极管与位线的连接,此后读取操作时该单元二极管无法导通,输出相反的逻辑电平(通常为逻辑“0”),完成一次数据写入;若采用PN结击穿结构,则对目标二极管施加反向高压击穿PN结,使PN结从高阻状态变为永久低阻导通状态,实现逻辑电平的改变,完成编程。

3. 读取操作

读取操作时仅施加正常工作电压,不会改变二极管和熔丝的状态,存储单元通过二极管是否导通输出对应逻辑电平,控制器即可读出预先写入的数据。由于编程操作是物理性的不可逆改变,因此数据写入后永久保存,掉电也不会丢失。


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