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NT5CB256M16CP-DI
资料介绍
The 4Gb Double-Data-Rate-3(DDR3(L)) DRAM is a high-speed CMOS SDRAM containing 4,294,967,296 bits.
It is internally configured as an octal-bank DRAM.
The 4Gb chip is organized as 64Mbit × 8 /O × 8 banks and 32Mbit×16 /0×8 banks. These synchronous devices achieve high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133 Mb/sec/pin for general applications.
The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks(CK rising and CK falling). All I/Os are synchronized with a single ended DQS or differential DQS pair in a source synchronous fashion.
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