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NT5CB256M16CP-DI

更新时间：2019-03-08 23:05:54 大小：37M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：nt5cb256m16cpdi 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

The 4Gb Double-Data-Rate-3(DDR3(L)) DRAM is a high-speed CMOS SDRAM containing 4,294,967,296 bits.

It is internally configured as an octal-bank DRAM.

The 4Gb chip is organized as 64Mbit × 8 /O × 8 banks and 32Mbit×16 /0×8 banks. These synchronous devices achieve high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133 Mb/sec/pin for general applications.

The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks(CK rising and CK falling). All I/Os are synchronized with a single ended DQS or differential DQS pair in a source synchronous fashion.


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