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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的基于NOR Flash的存算一体芯片在可穿戴设备中的
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的基于NOR Flash的存算一体芯片在可穿戴设备中的大规模商用
摘要
NOR Flash存算一体技术凭借其成熟的工艺基础、超低功耗和与CMOS逻辑兼容的优势，率先在可穿戴设备中实现了大规模商用。本文基于知存科技WTM2101芯片的技术路线，分析了基于NOR Flash的存算一体芯片在可穿戴设备中的部署经验。该芯片功耗仅0.8毫瓦（比传统芯片低100倍），已量产超1000万颗，搭载于华为、小米可穿戴设备，用于语音唤醒、心率异常检测等AI功能。本文从器件特性、电路设计、系统集成和量产工艺四个维度，系统总结了NOR Flash存算一体芯片从技术验证到千万级出货的产业化经验。
一、NOR Flash存算一体的技术基础
1.1 NOR Flash的模拟计算特性
NOR Flash存储器在读取时，其单元的电流与存储的阈值电压呈线性关系，这一特性使得NOR Flash天然适合模拟计算。将神经网络的权重编码为NOR Flash单元的阈值电压，输入数据通过DAC转换为字线电压，在存储阵列中直接完成乘加运算。
1.2 工艺成熟度优势
NOR Flash采用成熟的55nm-28nm工艺制造，与CMOS逻辑工艺兼容，无需额外的后道工序。成熟的工艺基础保证了高良率（>95%）和低制造成本，为大规模商用奠定了基础。
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