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NAND Flash COP与Peri-under-Cell架构.docx
资料介绍
存储芯片的NAND Flash COP与Peri-under-Cell架构
一、引言
COP（CMOS on Peri）与Peri-under-Cell是3D NAND闪存中CMOS电路布局的两种架构，决定了存储阵列与外围电路的相对位置。COP架构将CMOS电路放置在存储阵列上方，Peri-under-Cell架构将CMOS电路放置在存储阵列下方。
COP架构将CMOS电路集成在存储阵列的金属互连层上方，在芯片面积利用率方面具有优势，Interconnect的垂直距离更短。Peri-under-Cell架构将CMOS电路放置在存储阵列的硅衬底中，与存储阵列的工艺整合更紧密。2026年，COP架构在3D NAND中更为常见，Peri-under-Cell架构在部分厂商的特定产品中应用。本文将从技术原理、架构对比、工艺优势与厂商路线四个方面，对COP与Peri-under-Cell架构进行全面分析。
二、COP架构
2.1 工作原理
COP架构将CMOS电路放置在存储阵列的金属互连层上方，通过垂直互连与存储阵列连接。
2.2 优势
COP架构的芯片面积利用率高，Interconnect的垂直距离短，信号传输延迟低。
三、Peri-under-Cell架构
3.1 工作原理
Peri-under-Cell架构将CMOS电路放置在存储阵列的硅衬底中，与存储阵列的工艺整合更紧密。
3.2 优势
Peri-under-Cell架构的工艺整合更紧密，在特定工艺节点中具有更好的性能。
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| NAND_Flash_COP与Peri-under-Cell架构.docx | 37K |
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