- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
存储芯片的NAND闪存编程干扰与擦除干扰机制.docx
资料介绍
存储芯片的NAND闪存编程干扰与擦除干扰机制
1 引言
编程干扰（Program Disturb）和擦除干扰（Erase Disturb）是NAND闪存中两种主要的操作干扰现象，在3D NAND的千层堆叠中变得尤为严重。编程干扰在编程目标单元时，非目标单元的阈值电压受到扰动；擦除干扰在擦除目标块时，非目标块的存储单元受到影响。本章系统分析编程干扰和擦除干扰的物理机制、影响因素以及抑制技术。
2 编程干扰机制
2.1 物理机制
在NAND闪存的编程操作中，对目标字线施加高电压（约15-20V），同时非目标字线施加通过电压（约7-10V）。编程干扰主要通过以下机制产生：
1. FN隧穿干扰：非目标字线的高通过电压在非目标单元的隧穿氧化层上产生微弱电场，导致少量电子注入电荷存储层
2. 沟道升压不足：NAND串中未选中单元的沟道电压升压不足，导致非目标单元被编程
3. 字线-字线泄漏：相邻字线间的漏电流耦合
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 存储芯片的NAND闪存编程干扰与擦除干扰机制.docx | 38K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
21ic小能手 打赏5.00元 6小时前
-
21ic小能手 打赏3.00元 8小时前
资料：低频功率放大器的设计.
-
21ic小能手 打赏3.00元 8小时前
-
21ic小能手 打赏3.00元 8小时前
-
21ic小能手 打赏3.00元 8小时前
-
21ic小能手 打赏3.00元 8小时前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
资料：51单片机数字频率计
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
-
13573902396 打赏1.00元 3天前
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：江岚
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：他山之石可攻玉
-
21下载积分 打赏310.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21下载积分 打赏210.00元 3天前
用户：w993263495
-
21下载积分 打赏10.00元 3天前
用户：烟雨
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21下载积分 打赏70.00元 3天前
用户：铁蛋锅
-
21下载积分 打赏65.00元 3天前
用户：xzxbybd
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：jh0355
-
21下载积分 打赏60.00元 3天前
用户：w178191520
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：jh03551
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：sun2152
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：w1966891335
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：pcb
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：bhacker
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21下载积分 打赏25.00元 3天前
用户：有理想666
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：godbox
-
21下载积分 打赏15.00元 3天前
用户：aetek
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：JuneLin61
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：ccc6188
-
21下载积分 打赏5.00元 3天前
用户：木集盒
-
21ic小能手 打赏5.00元 3天前
全部评论(0)