一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路

更新时间：2020-10-22 09:48:08 大小：968K 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：MOS管 oled 下载积分：2分评价赚积分（如何评价?）收藏评论(0) 举报

资料介绍

硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流，其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区，存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题，如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题，但为了获得微小的驱动电流，必须采用尺寸大的倒比MOS管，这又与极小的像素面积冲突。本文提出了一种采用脉宽调制（PWM）技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路，PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间，OLED的脉冲电流变大，使驱动MOS倒比管的尺寸减小；由于PWM信号占空比小，同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度。结果表明PWM信号占空比为3％时，实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27pA～2．635nA、2．19～225．1cd／m2，同时采用双像素版图共用技术，在15μm×15μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计。

Due to the tiny pixel area of OLED-on-silicon mtcrocltsptay and the weak driving MOS transistor operated in sub-threshold region is generally applied in the pixel driving circuit of OLED mierodisplay. Unfortunately the sub-threshold current of MOS transistor is sensitive to the mismatch of threshold voltage and gate-source voltage and its peripheral circuit becomes complex, but a driving MOS transistor operated in saturation region instead of in sub-threshold region can avoid these problems. In this paper a pixel driving circuit for O...