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面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用.docx

更新时间：2026-09-17 08:29:52 大小：38K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：LTCC存储芯片封装先进封装HBMChiplet 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用

——从有机基板到陶瓷基板的封装材料演进

引言

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是存储芯片先进封装中的重要材料创新。在HBM和Chiplet封装中，有机基板在高频信号传输和热管理方面面临瓶颈，LTCC基板具有低介电损耗、高导热性和良好的热稳定性，可以满足高频信号和高温环境的需求。在存储芯片封装中，LTCC技术可以用于制作高密度互连基板、集成无源器件和散热基板。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用。

LTCC技术的基本原理

LTCC材料

LTCC基板的材料特性：

1. 陶瓷材料：LTCC基板采用玻璃-陶瓷复合材料，如CaO-B₂O₃-SiO₂和Al₂O₃-玻璃系统。

2. 介电常数：LTCC基板的介电常数约5至8，低于有机基板的3.5至4.5，在高频下，介电常数稳定。

3. 介电损耗：LTCC基板的介电损耗约0.001至0.005，远低于有机基板的0.01至0.02，适合高频信号传输。

LTCC工艺

LTCC基板的制造工艺：

1. 流延：将陶瓷浆料流延成生瓷带，生瓷带的厚度约50μm至200μm。

2. 打孔：在生瓷带上打孔，用于制作通孔和盲孔，孔径约50μm至200μm。

3. 填充：在通孔和盲孔中填充导电浆料，如银浆或铜浆。

4. 印刷：在生瓷带表面印刷导电线路，线路的线宽/线距约50μm至100μm。

5. 叠压：将多层生瓷带叠压在一起，在高温高压下形成多层基板。

6. 烧结：在850°C至900°C下烧结，使陶瓷材料和导电浆料致密化。


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