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面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用
——从有机基板到陶瓷基板的封装材料演进
引言
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是存储芯片先进封装中的重要材料创新。在HBM和Chiplet封装中,有机基板在高频信号传输和热管理方面面临瓶颈,LTCC基板具有低介电损耗、高导热性和良好的热稳定性,可以满足高频信号和高温环境的需求。在存储芯片封装中,LTCC技术可以用于制作高密度互连基板、集成无源器件和散热基板。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用。
LTCC技术的基本原理
LTCC材料
LTCC基板的材料特性:
1. 陶瓷材料:LTCC基板采用玻璃-陶瓷复合材料,如CaO-B₂O₃-SiO₂和Al₂O₃-玻璃系统。
2. 介电常数:LTCC基板的介电常数约5至8,低于有机基板的3.5至4.5,在高频下,介电常数稳定。
3. 介电损耗:LTCC基板的介电损耗约0.001至0.005,远低于有机基板的0.01至0.02,适合高频信号传输。
LTCC工艺
LTCC基板的制造工艺:
1. 流延:将陶瓷浆料流延成生瓷带,生瓷带的厚度约50μm至200μm。
2. 打孔:在生瓷带上打孔,用于制作通孔和盲孔,孔径约50μm至200μm。
3. 填充:在通孔和盲孔中填充导电浆料,如银浆或铜浆。
4. 印刷:在生瓷带表面印刷导电线路,线路的线宽/线距约50μm至100μm。
5. 叠压:将多层生瓷带叠压在一起,在高温高压下形成多层基板。
6. 烧结:在850°C至900°C下烧结,使陶瓷材料和导电浆料致密化。
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