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面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用.docx

更新时间:2026-09-17 08:29:52 大小:38K 上传用户:潇潇江南查看TA发布的资源 标签:LTCC存储芯片封装先进封装HBMChiplet 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用

——从有机基板到陶瓷基板的封装材料演进

引言

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是存储芯片先进封装中的重要材料创新。在HBMChiplet封装中,有机基板在高频信号传输和热管理方面面临瓶颈,LTCC基板具有低介电损耗、高导热性和良好的热稳定性,可以满足高频信号和高温环境的需求。在存储芯片封装中,LTCC技术可以用于制作高密度互连基板、集成无源器件和散热基板。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中低温共烧陶瓷LTCC技术在存储芯片封装中的应用。

LTCC技术的基本原理

LTCC材料

LTCC基板的材料特性:

1. 陶瓷材料LTCC基板采用玻璃-陶瓷复合材料,如CaO-B₂O₃-SiO₂Al₂O₃-玻璃系统。

2. 介电常数LTCC基板的介电常数约58,低于有机基板的3.54.5,在高频下,介电常数稳定。

3. 介电损耗LTCC基板的介电损耗约0.0010.005,远低于有机基板的0.010.02,适合高频信号传输。

LTCC工艺

LTCC基板的制造工艺:

1. 流延:将陶瓷浆料流延成生瓷带,生瓷带的厚度约50μm200μm

2. 打孔:在生瓷带上打孔,用于制作通孔和盲孔,孔径约50μm200μm

3. 填充:在通孔和盲孔中填充导电浆料,如银浆或铜浆。

4. 印刷:在生瓷带表面印刷导电线路,线路的线宽/线距约50μm100μm

5. 叠压:将多层生瓷带叠压在一起,在高温高压下形成多层基板。

6. 烧结:在850°C900°C下烧结,使陶瓷材料和导电浆料致密化。


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