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一文说明白STM32G4双Bank启动与升级
资料介绍
1. 背景
STM32G4 系列 MCU 越来越多的应用在数字电源项目中,客户希望软件升级的过程中, 不影响当前程序的执行或者尽量减少打断当前程序执行的时间,本文介绍 STM32G4 的双 Bank 特性以及应用该特性进行程序升级。
2. STM32G4 双 Bank 特性
本章节以 STM32G474RET6 为例,介绍双 Bank 的特性,文中所引用到的参考代码都是 基于 NUCLEO-G474RE 测试通过。 2.1. 双 Bank
STM32G474RET6 内置 512K Flash 空间,通过选项字节配置,512K Flash 可设置为 单 Bank,也可以设置为双 Bank。两种模式下具有如下特性差异。
STM32G4 系列,即使 Flash 大小为 256K,在双 Bank 模式下,Bank2 的起始地址也 是 0x8040000,这意味着在双 Bank 模式下,Flash 小于 512K 的版本,Bank1 的结束地 址和 Bank2 的起始地址是不连续的。
单 Bank 和双 Bank 读取位宽以及 Sector 大小不一样,最直接的影响是,双 Bank 模 式下烧录的程序,切换为单 Bank 后,程序是无法执行的,同样的道理,单 Bank 模式下 烧录的程序,切换为双 Bank 后,程序也无法执行。
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| 文件名 | 大小 |
| LAT1596一文说明白STM32G4双Bank启动与升级_v1.0.pdf | 657K |
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