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半导体晶圆测试并行模式.docx

资料介绍

半导体晶圆测试并行模式

1. 引言:晶圆测试的并行探针需求

半导体晶圆测试(CP测试)是芯片制造过程中的关键环节,在晶圆切割前对每个芯片进行电性能测试,筛选出合格芯片。晶圆上通常包含数百到数万个芯片,每个芯片需要测试DC参数、功能测试和AC参数。晶圆测试的核心挑战是测试效率——在保证测试精度的前提下,尽可能缩短每颗芯片的测试时间。LabVIEW通过多探针并行测试、并行测试项执行和实时数据分析,实现高效的晶圆测试。

2. 晶圆测试并行架构

2.1 多探针并行测试

晶圆测试系统使用多探针卡同时测试多个芯片:

1. 探针卡1:测试芯片1-16,并行测试

2. 探针卡2:测试芯片17-32,并行测试

3. 探针卡N:测试芯片N-15至N,并行测试

各探针卡通过PXIe背板同步,并行执行测试。

2.2 并行测试项

在单颗芯片上,多个测试项可以并行执行:

1. 接触测试:检测探针与焊盘接触是否良好

2. DC参数测试:并行测试漏电流、阈值电压

3. 功能测试:并行测试数字逻辑功能

4. 存储器测试:并行测试存储器单元

3. 测试系统架构

3.1 SMU并行控制

源测量单元(SMU)的并行控制:

1. SMU1:提供电源电压,测量电流

2. SMU2:提供偏置电压,测量漏电流


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