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电调用金属封装MOSFET

更新时间：2019-09-03 20:31:05 大小：487K 上传用户：kenking2536 查看TA发布的资源 标签：MOSFET 下载积分：1分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

电调用金属封装MOSFET，

VDSS 40V
RDS(on) typ. 0.95m
max 1.20m
ID (Silicon Limited) 217A
ID (double-sided cooling) 330A

Application
 Brushed Motor drive applications
 BLDC Motor drive applications
Battery powered circuits
 Half-bridge and full-bridge topologies
 Synchronous rectifier applications
 Resonant mode power supplies
 OR-ing and redundant power switches
 DC/DC and AC/DC converters
 DC/AC Inverters

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StrongIRFET™

IRF7480MTRPbF

DirectFET^®N-Channel Power MOSFET 

Application

 Brushed Motor drive applications

 BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC Inverters

V_DSS

R_DS(on)typ.

max

40V

0.95m

1.20m

217A

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (double-sided cooling)}

330A

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability

 Lead-Free, RoHS Compliant

DirectFET^®ISOMETRIC

Standard Pack

Form

Base part number

Package Type

Orderable Part Number

Quantity

IRF7480MPbF

DirectFET^®ME

Tape and Reel

4800

IRF7480MTRPbF

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

225

200

175

150

125

100

= 132A

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

2016-5-4

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