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InGaAs探测二极管阵列

更新时间:2026-06-16 08:39:12 大小:15K 上传用户:烟雨查看TA发布的资源 标签:ingaas二极管 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

基本概念

铟镓砷(InGaAs是一种三元化合物半导体材料,通过调整InGa的组分比例,可以使其禁带宽度对应0.7~1.7μm左右的近红外波段,完美覆盖光纤通信的1310nm1550nm两个低损耗窗口,同时也适配近红外光谱检测、夜视成像等多个领域的波长需求。

InGaAs探测二极管阵列是基于InGaAs材料制备的、将多个独立光电探测二极管单元按一定规则(线阵或面阵)集成在同一衬底上的光电探测器件,核心功能是将入射的近红外光信号转换为可采集处理的电信号,相比单探测元件,能够实现大视场范围、多通道同步的光信号探测与成像,是当前近红外探测领域的核心器件之一。

核心特性

1.光谱响应范围

常见的室温工作InGaAs探测二极管阵列,响应范围通常在900~1700nm,通过特殊材料设计或制冷处理,部分扩展型器件可以将响应范围延伸到2500nm,覆盖大部分近红外应用场景。相比硅基探测器,硅基只对波长1100nm以内的光敏感,在近红外波段响应几乎为零,InGaAs在近红外的探测优势极为明显;相比碲镉汞(MCT)探测器,InGaAs探测二极管阵列在室温下的暗电流更低、探测灵敏度更高,同时成本和制备难度更低,稳定性更好。

2.探测灵敏度与噪声性能

InGaAs材料的电子迁移率高,载流子寿命合适,制备的二极管阵列暗电流可以低至nA级(室温),制冷条件下可以达到pA级,对应噪声等效功率(NEP)可以达到10⁻¹⁵W/√Hz量级,能够探测极弱的近红外光信号,满足高灵敏度探测需求。

3.响应速度

InGaAs探测二极管的响应速度通常在纳秒量级,阵列器件的读出带宽可以达到数百MHz,能够适配高速光信号检测、高速成像等应用场景,满足光纤通信高速信号探测、动态光谱采集的需求。


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